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美中科技戰下臺灣半導體前瞻科研及人才布局

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上架日:2021/04/17
發佈時間:2021/04/17
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2021/04/17
美中科技戰下臺灣半導體前瞻科研及人才布局
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美中科技戰下臺灣半導體前瞻科研及人才布局
台灣是全世界的半導體產業重鎮,晶圓製造第一、晶片封測第一、矽晶圓產能第二的既有優勢。然而在美中貿易戰越趨激烈的情形下,中國政府宣布投入第三代半導體研發,美國政府擬以500億美元扶植美國的晶片製造業,歐盟也計畫搶進晶片製造市場,希望在2030年生產全球20%的先進晶片。在各方競爭之下,台灣將從製造、人才、技術與資源三方向突圍,不但要穩固國際戰略地位,還將持續擴大既有資通訊應用市場之優勢。

在產業層級,台灣要擴大晶圓製造的競爭優勢。2030年的半導體世代為超摩爾定律時代,IC應用邁向多元化與極致效能,更進一步的跨向Å尺度(1nm),政府將持續壯大串聯竹科、中科、南科西部矽谷帶的半導體產業聚落,並更新竹科第三至五期的標準廠房,同時確保廠商土地、水資源、電力、材料、人才之供給不予匱乏。

在國家層級,主要是確保半導體人才之供應,包括由企業、大學共同設立3~5所半導體研發中心,挑選1~2所大學新設國家重點領域研究學院,擴增大學重點領域(半導體、機械、材料)學士班10%、碩博士班15%名額並放寬生師比,透過半導體國際產學交流聯盟延攬國際人才,邀請企業開設實戰培訓、思維導入、知能特訓等多元跨域職能培訓學程,藉由這些方法培育並擴增半導體產業所需人才。

在全球層級,主要需掌握戰略資源與技術,這又可分為設備及材料兩個方向。在設備方面,要協助台灣廠商提前佈局12吋晶圓製造之利基設備,朝向化合物(第三代)半導體發展,使廠商能跨越一線大廠之門檻,生產未來需要的12吋晶圓製造設備。期望在2030年之前,能生產小於1奈米之Å尺度半導體,用於一般運算;生產高功率化合物半導體,用於電動車及綠能產業;生產高頻率化合物半導體,用於5G/6G之通訊產業;長程目標則朝發展量子電腦努力。

在材料方面,主要是掌握關鍵化學品自主、確保材料優化參數不外流,並建立在地戰略供應鏈。現正規劃推動高雄半導體材料專區,結合高雄既有材料與石化產業聚落優勢、循環技術及高值材料生產重鎮規劃,帶動材料與石化產業就業與研發升級。未來將以楠梓的原高雄煉油廠為半導體材料研發核心,北接路竹、橋頭至南科為新興半導體製造聚落,南接大社、仁武、大寮、林園、小港(大林埔)半導體材料、石化聚落,並結合台積電、日月光、華邦、穩懋等半導體廠,建立南部半導體材料S形廊帶。

過去40年來,政府積極打造科學園區作為臺灣半導體產業發展基地,已成為全球第一的半導體聚落。近年因應美中科技戰、台商回流,產業用地需求提高,科技部已逐步更新科學園區標準廠及開發新設園區等,促使廠商根留臺灣,並提升產業群聚效應。未來經濟部及其他相關部會也會加速發展高雄半導體材料聚落,協助地方相關產業升級,建立完整的在地戰略生態。政府各部會將戮力同心,大力支持半導體產業在台灣永續發展與成長,讓臺灣成為未來全球經濟的關鍵力量。


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